RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
71
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
40
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2362
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link