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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2173
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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