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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
11.5
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
2173
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
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