RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
27
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
19
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3435
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link