RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
27
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
19
读取速度,GB/s
11.5
19.5
写入速度,GB/s
8.5
15.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3435
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link