RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2761
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBNS 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link