RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
104
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.6
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
7.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1827
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link