SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB vs Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Puntuación global
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Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 11
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 40
    En -48% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 11.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2205 left arrow 1581
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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