RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB против Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB Причины выбрать
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13.9 left arrow 11
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.6 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 40
    Около -48% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    40 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.9 left arrow 11.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 8.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2205 left arrow 1581

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB Сравнения RAM

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
модули RAM