RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2660
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link