RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
36
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2998
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link