RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2998
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link