RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3495
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link