RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3495
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link