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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3434
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
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