RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3434
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link