RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3434
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link