RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
53
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
53
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2301
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link