RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
53
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
53
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2301
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link