RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около -269% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3017
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link