RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
96
Por volta de -269% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3017
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link