RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3756
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link