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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3086
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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