RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
60
En -140% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
25
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2889
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link