RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Compara
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
51
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
18
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1540
3421
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link