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Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Compara
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Puntuación global
Kingston HX316C10F/8 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2585
3278
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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