RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Confronto
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
Kingston HX316C10F/8 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/8 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
36
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
32
Velocità di lettura, GB/s
14.7
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2585
3278
Kingston HX316C10F/8 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link