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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
69
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
3583
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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