RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3866
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link