RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3866
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link