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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Compara
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1820
2605
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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