RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Compara
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Puntuación global
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
26
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1820
3564
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link