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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

総合得点
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston K1N7HK-ELC 2GB 考慮すべき理由
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 26
    周辺 -44% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.5 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 20.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.7 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1820 left arrow 3564

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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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