RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
3170
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link