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Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
37
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
3170
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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