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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2892
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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