RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
2504
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link