RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
2504
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link