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Kingston K531R8-MIN 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
2712
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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