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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
42
En 60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
17
42
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2423
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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