RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
42
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
17
42
Velocità di lettura, GB/s
22.8
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
2423
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link