RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
57
En 51% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
57
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
2328
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link