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Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
57
Intorno 51% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
57
Velocità di lettura, GB/s
13.4
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2328
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
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