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Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Compara
Kingston KF552C40-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston KF552C40-16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KF552C40-16 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En -11% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3343
2062
Kingston KF552C40-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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