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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Compara
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2363
2974
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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