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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3564
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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