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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Compara
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
56
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
56
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
2200
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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