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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
56
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
56
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2753
2200
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
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