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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Compara
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
45
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
45
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2496
2414
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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