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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
45
读取速度,GB/s
14.7
10.0
写入速度,GB/s
9.1
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
2414
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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