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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
40
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
2371
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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